تهمینه جلالی

در این مقاله، خواص مغناطواپتیکی بلورهای فوتونیک مغناطیسی به همراه نقص در ساختار با ماده مغناطیسی و بدون ماده مغناطیسی - معرفی میگردد. معادلات ریاضی لازم برای کمیتهای مغناطواپتیکی و معادلات الکترومغناطیسی حاکم بر آنها بیان میشود. شبیه سازی یک ( برهی بلور فوتونیک مغناطیسی بسلایهای که دارای ساختار متناوب به صورت 4 MG)4 (M)2 (GM ( است، بر پایه روش المان متناهی به صورت دو و سه بعدی انجام میشود. در نهایت میدانهای الکتریکی انتشار یافته در ساختار بسلایهای در بازه بسامدی امواج مرئی در فضای دو بعدی و سه بعدی نشان داده شده است. مدهای نقص مغناطیسی و غیر مغناطیسی را در ساختار ایجاد نمودهایم و میزان عبور از ساختار بس لایه ای را بدست آوردهایم.