|
Title
|
حذف نمكهاي پايدار حرارتي از محلول آبي متيل دياتانول آمين با استفاده از غشاهاي (MDEA) جاذب آنيون
|
|
Type
|
Thesis
|
|
Keywords
|
نمك هاي پايدار حرارتي (HSS)؛ تصفيه متيل دي اتانول آمين (MDEA)؛ غشاي جاذب؛ نانوكربن فعال
|
|
Abstract
|
در فرآيند حذف گازهاي اسيدي به وسيله آلكانول آمين ها در پالايشگاه هاي گاز، تركيبات نامطلوب نمك هاي پايدار حرارتي (HSS) حاصل از واكنش آمين ها با تركيبات اسيدهاي آلي قوي در برج هاي جذب و دفع به صورت برگشت ناپذير حاصل مي شود. احياء اين نمك ها در برج دفع به راحتي صورت نخواهد پذيرفت و بدين ترتيب موجب تخريب آمين مي شود. اين پديده علاوه بر اتلاف آمين مصرفي، مشكلاتي نظير افزايش ويسكوزيته محلول آمين، افزايش ايجاد كف، خوردگي و نهايتا كاهش ظرفيت جذب گازهاي اسيدي را به همراه خواهد داشت كه نياز به جايگزيني آن با آمين فعال تازه مي باشد. روش هاي مختلفي براي حذف اين نمك ها از محلول آمين وجود دارد. در اين پايان نامه از روش غشاي جاذب، با تركيب روش جذب سطحي نانوذرات كربن فعال و غشاي پلي اترسولفوني UF، جهت حذف آنيون هاي نمك هاي پايدار حرارتي از محلول آبي متيلدي اتانول آمين (MDEA) استفاده شده است. ابتدا دو نوع كربن فعال Merck 102186 و Norit GAC 830W، با روش آسياب گلوله اي به ذرات نانومتري تبديل شدند. آناليز BET و آزمون جذب تعادلي براي شناسايي بهترين جاذب در محلول MDEA 40 درصد وزني انجام شد. سپس غشاها با مخلوط حاوي نانوذرات كربن فعال (NAC) در نسبت هاي (صفر، 0.5، 1، 1.5 و 2) برابر پليمر پلي اترسولفون (PES) و با روش وارونگي فاز ايجاد شدند. از آناليزهاي SEM، AFM، FTIR و STA براي بررسي ساختار و ريخت شناسي غشاهاي سنتز شده استفاده شد. همچنين غشاها با آزمون هاي توصيفي شامل محاسبه تخلخل و ميانگين اندازه حفرات، زاويه تماس و شار آب و آمين خالص مورد تجزيه و تحليل قرار گرفتند. با انجام جذب تعادلي ناپيوسته از غشاها، مدل هاي ايزوترم جذب لانگموير و فروندليچ رفتار جذب HSS را به درستي توصيف كردند كه بالاترين ميزان جذب لانگموير (q_m) براي غشاي با بيشترين غلظت نانوذره (M2)، mg/g 22.63 به دست آمد. سطح غشاي بهينه M2 با لايه پلي آميد، از طريق روش پليمريزاسيون سطحي پوشيده شد تا تاثير بار منفي سطحي بالاتر (اثر دافعه دونان) و IP بر ميزان دفع نمك ها بررسي شود. همچنين ميزان پس زني و تغييرات شار غشاها در آزمون پيوسته تصفيه آمين بررسي شد. نتايج نشان داد كه براي همه يون ها، بازدهي حذف براي غشاي M2/IP نسبت به غشاي M2 افزايش مي يابد در حاليكه شار محلول به دليل مقاومت لايه فعال PA كاهش چشمگيري داشت. بيشترين درصد بازدهي
|
|
Researchers
|
seyed hosein mosavi (Student) , Seyed Abdollatif Hashemifard (Primary advisor) , Mohsen Abbasi (Primary advisor)
|