|
Title
|
بررسي نقص در فيلم بس لايهاي مغناطيسي دو و سه بعدي
|
|
Type
|
Presentation
|
|
Keywords
|
بلور فوتونيك مغناطيسي،فيلم بسلايهاي،روش المان متناهي -
|
|
Abstract
|
در اين مقاله، خواص مغناطواپتيكي بلورهاي فوتونيك مغناطيسي به همراه نقص در ساختار با ماده مغناطيسي و بدون ماده مغناطيسي -
معرفي ميگردد. معادلات رياضي لازم براي كميتهاي مغناطواپتيكي و معادلات الكترومغناطيسي حاكم بر آنها بيان ميشود. شبيه سازي يك
( برهي بلور فوتونيك مغناطيسي بسلايهاي كه داراي ساختار متناوب به صورت 4 MG)4 (M)2 (GM ( است، بر پايه روش المان متناهي به صورت
دو و سه بعدي انجام ميشود. در نهايت ميدانهاي الكتريكي انتشار يافته در ساختار بسلايهاي در بازه بسامدي امواج مرئي در فضاي دو بعدي و
سه بعدي نشان داده شده است. مدهاي نقص مغناطيسي و غير مغناطيسي را در ساختار ايجاد نمودهايم و ميزان عبور از ساختار بس لايه اي را
بدست آوردهايم.
|
|
Researchers
|
Tahmineh Jalali (Second researcher)
|