|
عنوان
|
رفتار مغناطیسی یک نانو نقطه فرومغناطیسی بیضوی دارای نقص
|
|
نوع پژوهش
|
پایان‌نامه
|
|
کلیدواژه‌ها
|
بازگشت مغناطش، پسماند مغناطیسی، انرژی تبادلی، ناهمسانگردی شکلی
|
|
چکیده
|
در این پژوهش رفتار مغناطیسی یک لایه بیضی شکل فرومغناطیس از جنس پرمالوی با ابعادی در مقیاس
نانو که دارای یک ناکاملی دایره ای است با استفاده از شبیه سازی مغناطیسی، که به وسیلهی نرمافزار
انجام میشود، بررسی می شود. حلقه های پسماند، بازگشت پذیری مغناطیسی و الگوهای OOMMF
مغناطیسی متناسب با آن ها در حضوراین ناکاملی نیز بررسی می شود. مکان ناکاملی روی قطر بزرگ
بیضی ها متغیر است و نسبت به مرکز بیضی سنجیده می شود. همچنین میدان مغناطیسی خارجی در دو
مرحله، یک بار موازی و بار دیگر عمود بر محور بیضی بزرگ (آسان) بیضی قرار دارد. گذارهای مغناطیس
شکل احاطه شده باشد. ماندگاری بیشتر گذار C غالباً زمانی اتفاق می افتد که ناکاملی توسط الگوی
مغناطیسی به تعداد بیشتر میدان های سویچینگ بستگی دارد. در حالتی که میدان خارجی افقی است، با
افزایش فاصله ناکاملی، میدان وادارندگی کاسته می شود. مشاهده می شود که غالبا میدان وادارندگی در
حالتی که میدان در جهت عمود است، بیشتر از وضعیتی است که میدان خارجی افقی است. خصوصیات
مغناطیسی بدست آمده با استفاده از انرژی های تبادلی و وامغناطیدگی قابل توضیح هستند. در حالتی که
میدان خارجی عمودی است. با افزایش موقعیت ناکاملی، تفاوت قابل ملاحظه ای در مقدار بیشینه انرژی
تبادلی در محل مغناطش باقی مانده بین نسبت قطرهای کوچکتر و بزرگ تر نقطه های بیضوی مشاهده
می شود. همچنین در این حالت، برای تمامی لایه های بیضوی، تغییرات مشهودی در مقدار میدان
1 قطر بزرگ بیضی نسبت به مرکز / سویچینگ، زمانی که ناکاملی از مرکز بیضی ها به نقطه ای به فاصله 8
بیضی انتقال می یابد، مشاهده می شود.
|
|
پژوهشگران
|
میلاد دشمن زیاری (دانشجو)، حسین رعنایی (استاد راهنما)، هادی اسلامی زاده (استاد مشاور)
|