عنوان
|
طراحی و بررسی شبکه های آلی کووالانسی دو بعدی بر پایه ی فنالنیل جهت کاربرد در نانوالکترونیک
|
نوع پژوهش
|
پایاننامه
|
کلیدواژهها
|
چارچوب های آلی کوواالنسی، فنالنیل تقویت شده، پای پیوستار، شبکه کاگوم، نوار مسطح. نیمه هادی نوع n، نیمه هادی نوع p
|
چکیده
|
ا در این مطالعه با استفاده از نظریه تابعی چگالی دستهای از چارچوبهای آلی کوواالنسی را که شامل مولکولهای دارای شبکه پیوستار فنالنیل تقویت شده با اتمهای B و N به عنوان N2H2 و ،C6H6 ،C2H4 ،C2H2 ،BNH2 مولکولهای پایهی بر دهندههای پیوند و گره است، طراحی و ساختار الکترنی آنها را بررسی کردهایم. چارچوبهای آلی مذکور مسطح و دارای شبکه ساختاری کاگوم هستند. محاسبهی ساختار نواری آنها با استفاده از تابعی 06HSE نشان داده است که این مواد همگی نیمههادی و دارای گاف انرژی در بازهی eV 1/105-1/358 بودهاند. تحلیل دقیق ساختار نواری آنها منجر به شناسایی اصول طراحی برای مدیریت نوع غالب حامالن بار در این سیستمها شده است. در واقع نوع اتم تقویتی اضافه شده تعیین کنندهی نوع غالب حامالن بار است. بررسی ساختار نواری این مواد نشان میدهد که در چارچوبهای آلی کوواالنسی بر پایهی فنالنیل تقویت شده با اتم B نوار ظرفیت دارای پخشایش انرژی و تحدب باالیی است در حالی که نوار هدایت مسطح است و در ترابرد الکترون- ها شرکت نمیکند. از این رو این مواد را نیمه هادی از نوع p گفته میشوند. در ساختار نواری چارچوبهای بر پایهی فنالنیل تقویت شده با N دقیقاً عکس رفتار باال مشاهده شده که این مشاهده حاکی از عدم مشارکت نوارهای ظرفیت در ترابرد حفره است و از این رو آنها را نیمه-هادی نوع n می نامند.
|
پژوهشگران
|
حاجب محبت (دانشجو)، علیرضا حسنی نژاد (استاد راهنما)، محمد رضا محمدی زاده (استاد راهنما)، فاضل شجاعی (استاد مشاور)
|