|
عنوان
|
بررسی نقص در فیلم بس لایهای مغناطیسی دو و سه بعدی
|
|
نوع پژوهش
|
مقالات در همایش ها
|
|
کلیدواژه‌ها
|
بلور فوتونیک مغناطیسی،فیلم بسلایهای،روش المان متناهی -
|
|
چکیده
|
در این مقاله، خواص مغناطواپتیکی بلورهای فوتونیک مغناطیسی به همراه نقص در ساختار با ماده مغناطیسی و بدون ماده مغناطیسی -
معرفی میگردد. معادلات ریاضی لازم برای کمیتهای مغناطواپتیکی و معادلات الکترومغناطیسی حاکم بر آنها بیان میشود. شبیه سازی یک
( برهی بلور فوتونیک مغناطیسی بسلایهای که دارای ساختار متناوب به صورت 4 MG)4 (M)2 (GM ( است، بر پایه روش المان متناهی به صورت
دو و سه بعدی انجام میشود. در نهایت میدانهای الکتریکی انتشار یافته در ساختار بسلایهای در بازه بسامدی امواج مرئی در فضای دو بعدی و
سه بعدی نشان داده شده است. مدهای نقص مغناطیسی و غیر مغناطیسی را در ساختار ایجاد نمودهایم و میزان عبور از ساختار بس لایه ای را
بدست آوردهایم.
|
|
پژوهشگران
|
ملیحه حسام الدینی (نفر اول)، تهمینه جلالی (نفر دوم)
|